ニュースリリース

大日本印刷 18ナノメートル半導体プロセスに対応した ナノインプリント用テンプレートの開発に成功

大日本印刷株式会社(本社:東京 社長:北島義俊 資本金:1,144億円、以下:DNP)は、ナノインプリント用のパターン加工を施した型(テンプレート)に関して、18ナノメートル(nm)レベルの次世代半導体製造に対応したテンプレート開発に成功しました。このテンプレートは、半導体メーカーにて半導体の基板であるシリコンウエハー上へのパターン転写にも成功しており、技術的な信頼性の高いものです。

ナノインプリント用テンプレート

ナノインプリント用テンプレート拡大

【背景】

DNPは、1961年に半導体用回路原版であるフォトマスクの事業を開始して以来、一貫して微細加工技術の開発に取り組み、最先端の技術開発をリードしてきました。そして、近年の半導体回路やナノデバイスの微細化に伴い、新たな半導体製造方式として注目されているナノインプリント技術において、基板上に回路パターンを形成する際に用いる、石英ガラス製のテンプレートの開発に注力しています。
DNPは、2005年に45nmレベルのテンプレート開発に成功して以来、材料・プロセス面で改良を重ね、今回、18nmレベルに対応したテンプレートの作製が可能となりました。一方で、32nmレベルのテンプレートについては、既存の先端フォトマスク量産設備による生産技術を確立し、各半導体メーカーへの供給を開始します。

【ナノインプリント技術について】

半導体製造において、樹脂を塗布したウエハーに、ナノメートルレベルのパターン加工を施したテンプレートを押し付け、そのパターンを樹脂上に転写する技術です。
次世代の半導体設計ルールである32nm以降の製造プロセスにおいて、ナノインプリント技術は、ArF液浸露光技術(※1)やEUV(超紫外線)露光技術(※2)などの光リソグラフィーとともに注目されています。

ナノインプリント技術の特長は、次の通りです。

  • 露光装置内に複雑な光学系の設備が不要であるため、単純な構造で装置のコストダウンが図れる。
  • 寸法制御精度が高く、転写パターンのエッジが粗くなることが少ない。
  • 光リソグラフィーと異なり、光学的近接補正(※3)が不要で、回路パターンのデータ処理が容易である。

【今後の展開】

次世代の半導体や磁気記録媒体、発光ダイオード、ディスプレイ製品、ナノデバイスなどの製造プロセスにおいて、DNPは、半導体メーカー・デバイスメーカー各社にテンプレートを供給し、将来拡大が見込まれる市場に先行して参入していきます。今後は、量産設備で30nm以降のテンプレートを作製する技術開発を積極的に進めていきます。


<補足>
※1 ArF液浸露光技術
露光装置の投影レンズとウエハーの間に、液体を満たして露光する技術。液体の屈折率を利用し高い解像度が得られ、65nm以降の最先端半導体で利用されている。
※2 EUV(超紫外線)露光技術
極めて波長の短い超紫外線を用いて、ウエハーに微細な回路イメージを焼き付ける技術。
※3 光学的近接補正
微細化が進むとマスクのパターン形状をウエハー上に正確に転写することが困難になるため、あらかじめマスクパターンに図形を付加したり、パターンの疎密に応じてサイズを補正したりする技術。

※ プレスリリースに記載された製品の価格、仕様、サービス内容などは発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承下さい。