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素材・部材開発

試作・開発〜量産まで一環してサポート致します。

MEMS ファウンドリーサービス

DNPは専業のMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ファウンドリーとして中立的な立場でサービスを提供いたします。単工程、部分工程など受託いたします。

目次 

 

ファウンドリーサービスの特長

MEMS技術例

インターポーザーの特長

ファウンドリー実績

対外発表

お問い合わせ

 

 

 

 

 

ファウンドリーサービスの特長

 

・自社製品を持たない純粋なMEMSファウンドリーです。

・試作・開発〜量産まで一貫してサポート致します。

・単工程、部分工程なども受託致します。

・φ6/8インチのSi / ガラスウェーハへの加工が可能です。

 

DNPのMEMSソリューション

専業MEMSファウンドリー

DNPは自社製品を持たない純粋なMEMSファウンドリーであり、中立的立場でサービスをご提供します。

フォトマスク内製により、パターン情報など大切な情報機密を確保致します。

試作・開発〜量産まで一貫してサポート致します。

 

量産・開発ライン

φ6/8インチウェーハ対応のMEMS専用の開発・製造ラインを保有しております。

 

 

 

 

豊富な加工実績と各種サービス

国内外150社以上、250案件以上の試作・量産実績(2001年〜)で培った

加工・生産ノウハウをベースとしたサービスを提供しております。

 

 

 

TSV シリコン貫通ビア付き配線基板

DNP独自のCuメッキ技術を用いたシリコン貫通ビア・インターポーザー技術をベースとしたサービスを提供しております。

(※TSV:Through-Silicon Via)

 

 

各種サービス

MEMSパッケージサービス、超高精細モールド受託サービス、マイクロ流路チップ受託加工サービスなどDNPの技術プラットフォームをベースとしたサービスをご提供しております。

  

 

 

サービスのフロー

サービスのフローに従って、お客様ごとにプロジェクトマネージャーを選任、試作から量産まで一貫してサポートさせて頂きます。 

 

MEMS専用 開発・量産ライン

     

     

    φ6インチ/8インチウェーハ対応

    クリーン度:クラス10, 1000, 10000の分割空調管理

    ウェーハのパーティクル・汚染管理

    ISO9001:2008取得

    拠点:千葉県柏市

     

保有設備

プロセス分類

設備

 フォトリソ関連装置

塗布・現像装置

プロキシミティアライナー

両面アライナー

i線ステッパー

ラミネート

真空ラミネータ(PIフィルム, ドライフィルム, 接着剤シート

 成膜装置

PE-CVD(SiO2 / SiN / a-Si)

LP-CVD(poly-Si)

スパッタ装置(Al系, Au, Cr, Cu, Ti, TiN・・・)

EB蒸着装置(Cr, Cu, Ti)

 拡散炉

熱酸化(Wet / Dry)

熱拡散炉 / シンター炉

有機アニール炉

 ドライエッチング装置

Deep RIE装置

シリコン系RIE装置

アッシャー

ウェットエッチング装置

シリコン結晶異方性エッチング装置

シリコン酸化膜エッチング装置

金属エッチング装置

洗浄装置

APM / SPM / 酸洗浄

有機剥離

ポリマー剥離

めっき装置

Cu充填めっき

Ni / Au / Cu めっき

接合・個片化装置

陽極接合装置

ダイシング装置

ピックアッパー

2流体洗浄装置

計測関連装置

測長SEM / 観察SEM

光学 / レーザー / 両面顕微鏡

IR顕微鏡

3次元レーザー測長装置

触針式段差計

エリプソメーター

基板反り測定装置

拡がり抵抗測定装置

プローバー

全反射蛍光X線分析装置

異物検査装置

外観検査装置

環境試験機(恒温恒湿, 冷熱衝撃, HAST)

外部委託

研削研磨 ほか

 

 

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MEMS技術例

 

主要技術とプロセス仕様

主要技術

工程

プロセス仕様

備考

対応

サイズ

Si深堀エッチング

Deep RIE

最小線幅 : L/S 1.5μm

アスペクト比 : 100

テーパー角 : 90 +/- 1度

(*いずれもパターン依存あり)

基板貫通加工可

SOI表裏両面可

φ6/8

インチ

異方性エッチング

TMAH

ウェットエッチング

深さに対して面内5%以内

基板貫通加工可

SOI表裏両面可

成膜

PVD

膜厚均一性 : 面内5%以内

(ただしTiNを除く)

基板貫通成膜可

基板両面成膜可

Al, AlNd, AlCu , Cr,

Cu, Au, Ti, TiN

CVD

膜厚均一性 : 面内5%以内

基板貫通成膜可

基板両面成膜可

SiO, SiN, a-Si

接合

陽極接合

(Si / ガラス)

封止内部圧力 : >0.01Pa

Si/ガラス/Si 可

ガラス/Si/ガラス 可

フュージョンボンド

ラミネート

真空ラミネート

コンフォーマルResist Coverage

バブルフリー

Nega Resist Process

めっき

Cu充填めっき

アスペクト比 : 50

ボイドフリー

配線めっき 対応可

(Cu, Au)

 

技術例

    フォトリソ技術

 微細リソグラフィ(i線ステッパー)

 レジスト厚 : 1μm

 L/S = 0.5 / 0.5μm

 

 

 

 

 

 

 

 膜厚リソグラフィ(両面アライナー)

 レジスト厚 : 20μm

 L/S = 10 / 10μm

 

 

 

 

 

 

 

    ラミネート技術

     樹脂フィルムラミネートによる

       貫通孔基板上へのリソグラフィ 

       

       

       

       

       

       

     

    成膜技術

      

     

    SiO2成膜(PE-CVD)

    膜厚 : 〜20μm

    温度 : 200〜400℃

     

     

    Deep RIE技術

     

    高アスペクト加工

    アスペクト比 = 〜70

     

     

    Cu充填めっき技術

     

    貫通ビア断面                                            X線透過写真

     

     

    Cu厚膜配線めっき技術

     

 

特殊加工例

    加工技術

     

    Deep RIEによるテーパー形状の形成

     

     

    特殊配線技術

           

     

    貫通孔への側壁電極形成                                          段差構造への配線形成(ポリイミド、めっき)

    貫通孔上への配線形成 (ポリイミド、めっき)

     

     

    微細多層配線基板へのTSV・再配線加工(開発中)

     

           微細多層配線基板へのTSV・再配線加工(M1〜M4:Cuダマシン配線)

           両面再配線も可

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インターポーザーの特長

 

システムの高密度化、小型化、高機能化のご要望に対応

シリコン深堀・微細めっき・薄膜形成技術などを応用してTSV・再配線加工サービスをご提供致します。

特長

・高密度貫通電極

・独自技術によるCuめっきボイドレス充填

・セミアディティブ法によるビルドアップ微細配線層

・高抵抗Siウェーハ, ガラスウェーハ採用による優れた高周波特性

・デバイスウェーハへのビアラスト加工(Si) [非充填タイプもご相談]

・低誘電率の層間絶縁材料による優れた電気特性

・高アスペクト比貫通孔にもボイドなくCuを充填可能

Si

・シリコンインターポーザ

・デバイスウェーハへのビアラスト加工

  (パッケージ加工)

・配線基板

 

TSV(シリコン貫通ビア)断面

 

ガラス(開発中)

・ガラスインターポーザ

・配線基板

 

 

タイプ

用途例

構造・特長

Si

ガラス

TSV(ビアファースト) 各種インターポーザー TSV・配線層を形成

PKG基板(ビアラスト) 各種デバイス

デバイスにTSV・配線層を形成

ウェハレベルPKG加工

-

配線基板 プローブカード 基板上に多層配線層を形成

 

インターポーザーの分類

タイプ

断面イメージ

特長

用途例

TSV

 

DNP標準仕様をベースに、MEMS加工で貫通孔を後から形成し、インターポーザーに部品的機能を付与する(複合基板)。

例)  ・液体/光(電波)を通す

     ・視認用の孔

    ・機械加工用の孔

・産業装置向け

    インターポーザー

・高周波デバイス用

    インターポーザー

・その他

PKG基板

 

お客様ご支給基板(デバイス形成済)に対してビアラスト工法でTSVを形成し、パッケージの小型化をはかる。

(パッケージ加工)

・産業用各種センサー基板

・その他

配線基板

 

 

(開発中)

微細配線技術を用いて配線層を多層化。

反りや平坦性等を改善した更なる多層化も開発中。

(配線基板)

・プローブカード用配線基板

その他

 

DNP標準仕様(インターポーザー)

DNP標準仕様をベースにお客様ご要望の構造を実現致します。

標準仕様

コア基板

Si

ガラス

層数

表裏各2層

絶縁層材料

ポリイミド

絶縁層厚

4〜8μm

配線材料

Cu, Cu / Ni / Au

配線ライン / スペース

Cuのみは10μm / 10μm

Cu / Ni / Auは15μm / 15μm

配線層厚

1〜6μm

ビア径 / ランド径

φ30μm / φ40μm〜

コア材料

シリコン(高抵抗、低抵抗)

ガラス

コアサイズ

φ6インチ / φ8インチ

コア厚み

400μm(φ6インチ / φ8インチとも)

スルホール材料

Cu

スルホール孔径

φ50μm

φ50〜80μm

スルホールピッチ

>200μm

ランド径

>100μm

ビルドアップ層

Si

ガラス

層数

表裏各2層

絶縁層材料

ポリイミド

絶縁層厚

4〜8μm

配線材料

Cu, Cu / Ni / Au

配線ライン / スペース

Cuのみは10μm / 10μm

Cu / Ni / Auは15μm / 15μm

配線層厚

1〜6μm

ビア径 / ランド径

φ30μm / φ40μm

※仕様が異なる場合は個別に対応させて頂きます

     

シリコンインターポーザ断面構造

オプション例 : Si貫通孔加工

(TSV、再配線形成後にSi貫通孔を形成)

 

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ファウンドリー実績

 

自社製品を持たない純粋なファウンドリーとして中立的な立場を活かし、様々な業界で実績がございます。これまでに、国内外150社以上、300件以上の試作・量産実績(2001年〜)がございます。 

 

用途

カテゴリー

何を

どうする

構造ポイント

業界

マイクロノズル

流路 

液体

(インク、薬液など)

通す

産業・医療・電子機器

分野

マイクロチップ

医療・バイオ機器分野

光遮光板

スリット

(紫外線、電子線など)

マイクロ

フィルター

光学素子

光学・通信機器分野

電子線

アパーチャー

半導体機器分野

精密遮光板

光実装部品

冶具

通信部品

固定する

通信機器分野

モールド

形状

複写する

ピラー

光学・バイオ機器分野

 

 

MEMS加工による微細な特殊構造体の作製(金属部品や樹脂部品からの置換え)。

豊富な加工実績で培った加工・生産ノウハウをベースに、

お客様のご要望を具現化致します。まずはご相談ください。

 

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対外発表

 

■貫通電極付きシリコンインターポーザの開発

電気学会 2010 発表資料

 

■Development of High Density Wiring Technology and Interconnect Technology with Silicon Through-hole

ECWC 2010 (Electronic Circuits World Convention) 発表資料

 

■TSVを用いたSiインターポーザと3次元集積化技術の現状と今後の展望

技術情報協会 2012 電子ジャーナル執筆資料

 

■Development of Si interposerfor 2.5D-3D advanced package

ICEP 2012 (International Conference on Electronics Packaging) 発表資料

 

■Cost Effective Interposer for Advanced Electronic Packages

ETCT 2014 (Electronic Components and Technology Conference) 発表資料

 

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お問い合わせ

 

 ご依頼、ご相談や本サービスへのご質問については、下記お問い合わせフォームからお問い合わせください。