試作・開発~量産まで一環してサポート致します。

MEMS ファウンドリーサービス

DNPは専業のMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ファウンドリーとして中立的な立場でサービスを提供いたします。単工程、部分工程など受託いたします。

目次

ファウンドリーサービスの特長

  • 自社製品を持たない純粋なMEMSファウンドリーです。
  • 試作・開発~量産まで一貫してサポート致します。
  • 単工程、部分工程なども受託致します。
  • φ6/8インチのSi / ガラスウェーハへの加工が可能です。

DNPのMEMSソリューション

専業MEMSファウンドリー

DNPは自社製品を持たない純粋なMEMSファウンドリーであり、中立的立場でサービスをご提供します。
フォトマスク内製により、パターン情報など大切な情報機密を確保致します。
試作・開発~量産まで一貫してサポート致します。

量産・開発ライン

φ6/8インチウェーハ対応のMEMS専用の開発・製造ラインを保有しております。

豊富な加工実績と各種サービス

国内外150社以上、250案件以上の試作・量産実績(2001年~)で培った
加工・生産ノウハウをベースとしたサービスを提供しております。

TSV シリコン貫通ビア付き配線基板

DNP独自のCuメッキ技術を用いたシリコン貫通ビア・インターポーザー技術をベースとしたサービスを提供しております。
(※TSV:Through-Silicon Via)

各種サービス

MEMSパッケージサービス、超高精細モールド受託サービス、マイクロ流路チップ受託加工サービスなどDNPの技術プラットフォームをベースとしたサービスをご提供しております。

サービスのフロー

サービスのフローに従って、お客様ごとにプロジェクトマネージャーを選任、試作から量産まで一貫してサポートさせて頂きます。

MEMS専用 開発・量産ライン

φ6インチ/8インチウェーハ対応
クリーン度:クラス10, 1000, 10000の分割空調管理
ウェーハのパーティクル・汚染管理
ISO9001:2008取得
拠点:千葉県柏市

保有設備

プロセス分類 設備
フォトリソ関連装置 塗布・現像装置
プロキシミティアライナー
両面アライナー
i線ステッパー
ラミネート 真空ラミネータ(PIフィルム, ドライフィルム, 接着剤シート
成膜装置 PE-CVD(SiO2 / SiN / a-Si)
LP-CVD(poly-Si)
スパッタ装置(Al系, Au, Cr, Cu, Ti, TiN・・・)
EB蒸着装置(Cr, Cu, Ti)
拡散炉 熱酸化(Wet / Dry)
熱拡散炉 / シンター炉
有機アニール炉
ドライエッチング装置 Deep RIE装置
シリコン系RIE装置
アッシャー
ウェットエッチング装置 シリコン結晶異方性エッチング装置
シリコン酸化膜エッチング装置
金属エッチング装置
洗浄装置 APM / SPM / 酸洗浄
有機剥離
ポリマー剥離
めっき装置 Cu充填めっき
Ni / Au / Cu めっき
接合・個片化装置 陽極接合装置
ダイシング装置
ピックアッパー
2流体洗浄装置
計測関連装置 測長SEM / 観察SEM
光学 / レーザー / 両面顕微鏡
IR顕微鏡
3次元レーザー測長装置
触針式段差計
エリプソメーター
基板反り測定装置
拡がり抵抗測定装置
プローバー
全反射蛍光X線分析装置
異物検査装置
外観検査装置
環境試験機(恒温恒湿, 冷熱衝撃, HAST)
外部委託 研削研磨 ほか

MEMS技術例

主要技術とプロセス仕様

主要技術 工程 プロセス仕様 備考 対応
サイズ
Si深堀エッチング Deep RIE 最小線幅 : L/S 1.5μm
アスペクト比 : 100
テーパー角 : 90 +/- 1度
(*いずれもパターン依存あり)
基板貫通加工可
SOI表裏両面可
φ6/8
インチ
異方性エッチング TMAH
ウェットエッチング
深さに対して面内5%以内 基板貫通加工可
SOI表裏両面可
成膜 PVD 膜厚均一性 : 面内5%以内
(ただしTiNを除く)
基板貫通成膜可
基板両面成膜可
Al, AlNd, AlCu , Cr,
Cu, Au, Ti, TiN
CVD 膜厚均一性 : 面内5%以内 基板貫通成膜可
基板両面成膜可
SiO, SiN, a-Si
接合 陽極接合
(Si / ガラス)
封止内部圧力 : >0.01Pa Si/ガラス/Si 可 ガラス/Si/ガラス 可 フュージョンボンド
ラミネート 真空ラミネート コンフォーマルResist Coverage
バブルフリー
Nega Resist Process
めっき Cu充填めっき アスペクト比 : 50
ボイドフリー
配線めっき 対応可
(Cu, Au)

技術例

フォトリソ技術

微細リソグラフィ(i線ステッパー)
レジスト厚 : 1μm
L/S = 0.5 / 0.5μm

膜厚リソグラフィ(両面アライナー)
レジスト厚 : 20μm
L/S = 10 / 10μm

ラミネート技術

樹脂フィルムラミネートによる
貫通孔基板上へのリソグラフィ

成膜技術

SiO2成膜(PE-CVD)
膜厚 : ~20μm
温度 : 200~400℃

Deep RIE技術

高アスペクト加工
アスペクト比 = ~70

Cu充填めっき技術

貫通ビア断面

X線透過写真

Cu厚膜配線めっき技術

特殊加工例

加工技術

Deep RIEによるテーパー形状の形成

特殊配線技術

貫通孔への側壁電極形成
貫通孔上への配線形成 (ポリイミド、めっき)

段差構造への配線形成(ポリイミド、めっき)

微細多層配線基板へのTSV・再配線加工(開発中)

微細多層配線基板へのTSV・再配線加工(M1~M4:Cuダマシン配線)
両面再配線も可

インターポーザーの特長

システムの高密度化、小型化、高機能化のご要望に対応

シリコン深堀・微細めっき・薄膜形成技術などを応用してTSV・再配線加工サービスをご提供致します。

特長

  • 高密度貫通電極
  • 独自技術によるCuめっきボイドレス充填
  • セミアディティブ法によるビルドアップ微細配線層
  • 高抵抗Siウェーハ, ガラスウェーハ採用による優れた高周波特性
  • デバイスウェーハへのビアラスト加工(Si) [非充填タイプもご相談]
  • 低誘電率の層間絶縁材料による優れた電気特性
  • 高アスペクト比貫通孔にもボイドなくCuを充填可能

Si

  • シリコンインターポーザ
  • デバイスウェーハへのビアラスト加工
    (パッケージ加工)
  • 配線基板

TSV(シリコン貫通ビア)断面

ガラス(開発中)

  • ガラスインターポーザ
  • 配線基板

タイプ 用途例 構造・特長 Si ガラス
TSV(ビアファースト) 各種インターポーザー TSV・配線層を形成
PKG基板(ビアラスト) 各種デバイス デバイスにTSV・配線層を形成
ウェハレベルPKG加工
-
配線基板 プローブカード 基板上に多層配線層を形成

インターポーザーの分類

タイプ 断面イメージ 特長 用途例
TSV

DNP標準仕様をベースに、MEMS加工で貫通孔を後から形成し、インターポーザーに部品的機能を付与する(複合基板)。
例)
  • 液体/光(電波)を通す
  • 視認用の孔
  • 機械加工用の孔
  • 産業装置向けインターポーザー
  • 高周波デバイス用インターポーザー
  • その他
PKG基板

お客様ご支給基板(デバイス形成済)に対してビアラスト工法でTSVを形成し、パッケージの小型化をはかる。
(パッケージ加工)
  • 産業用各種センサー基板
  • その他
配線基板

(開発中)

微細配線技術を用いて配線層を多層化。
反りや平坦性等を改善した更なる多層化も開発中。
(配線基板)
  • プローブカード用配線基板
  • その他

DNP標準仕様(インターポーザー)

DNP標準仕様をベースにお客様ご要望の構造を実現致します。

標準仕様

コア基板 Si ガラス
層数 表裏各2層
絶縁層材料 ポリイミド
絶縁層厚 4~8μm
配線材料 Cu, Cu / Ni / Au
配線ライン / スペース Cuのみは10μm / 10μm
Cu / Ni / Auは15μm / 15μm
配線層厚 1~6μm
ビア径 / ランド径 φ30μm / φ40μm~
コア材料 シリコン(高抵抗、低抵抗) ガラス
コアサイズ φ6インチ / φ8インチ
コア厚み 400μm(φ6インチ / φ8インチとも)
スルホール材料 Cu
スルホール孔径 φ50μm φ50~80μm
スルホールピッチ >200μm
ランド径 >100μm
ビルドアップ層 Si ガラス
層数 表裏各2層
絶縁層材料 ポリイミド
絶縁層厚 4~8μm
配線材料 Cu, Cu / Ni / Au
配線ライン / スペース Cuのみは10μm / 10μm
Cu / Ni / Auは15μm / 15μm
配線層厚 1~6μm
ビア径 / ランド径 φ30μm / φ40μm
  • 仕様が異なる場合は個別に対応させて頂きます

シリコンインターポーザ断面構造

オプション例 : Si貫通孔加工

(TSV、再配線形成後にSi貫通孔を形成)

ファウンドリー実績

自社製品を持たない純粋なファウンドリーとして中立的な立場を活かし、様々な業界で実績がございます。これまでに、国内外150社以上、300件以上の試作・量産実績(2001年~)がございます。

用途 カテゴリー 何を どうする 構造ポイント 業界
マイクロノズル 流路 液体
(インク、薬液など)
通す 産業・医療・電子機器
分野
マイクロチップ 医療・バイオ機器分野
光遮光板 スリット
(紫外線、電子線など)
マイクロ
フィルター
光学素子 光学・通信機器分野
電子線
アパーチャー
半導体機器分野
精密遮光板
光実装部品 冶具 通信部品 固定する 通信機器分野
モールド 形状 複写する ピラー 光学・バイオ機器分野

MEMS加工による微細な特殊構造体の作製(金属部品や樹脂部品からの置換え)。
豊富な加工実績で培った加工・生産ノウハウをベースに、お客様のご要望を具現化致します。まずはご相談ください。

対外発表

貫通電極付きシリコンインターポーザの開発
電気学会 2010 発表資料
Development of High Density Wiring Technology and Interconnect Technology with Silicon Through-hole
ECWC 2010 (Electronic Circuits World Convention) 発表資料
TSVを用いたSiインターポーザと3次元集積化技術の現状と今後の展望
技術情報協会 2012 電子ジャーナル執筆資料
Development of Si interposerfor 2.5D-3D advanced package
ICEP 2012 (International Conference on Electronics Packaging) 発表資料
Cost Effective Interposer for Advanced Electronic Packages
ETCT 2014 (Electronic Components and Technology Conference) 発表資料

お問い合わせ

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